货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.496352 | ¥20.50 |
10 | ¥16.784513 | ¥167.85 |
100 | ¥13.052677 | ¥1305.27 |
500 | ¥11.063532 | ¥5531.77 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 6.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB081N06L3 G SP000398076
单位重量 4 g
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0IPB081N06L3GATMA1
型号:IPB081N06L3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.496352 |
10+: | ¥16.784513 |
100+: | ¥13.052677 |
500+: | ¥11.063532 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.50