搜索

SQJQ402E-T1_GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SQJQ402E-T1_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
渠道:
digikey

库存 :1890

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 24.094246 24.09
10 21.610686 216.11
25 20.38744 509.69
100 15.902202 1590.22
250 15.494454 3873.61
500 13.455709 6727.85
1000 11.416966 11416.97

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 200 A

漏源电阻 1.3 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 260 nC

耗散功率 150 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

正向跨导(Min) 140 S

上升时间 15 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 69 ns

典型接通延迟时间 19 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 50 mg

SQJQ402E-T1_GE3 相关产品

SQJQ402E-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SQJQ402E-T1_GE3、查询SQJQ402E-T1_GE3代理商; SQJQ402E-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQJQ402E-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SQJQ402E-T1_GE3 替代型号 、SQJQ402E-T1_GE3 数据手册PDF

购物车

SQJQ402E-T1_GE3

锐单logo

型号:SQJQ402E-T1_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:1890 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥24.094246
10+: ¥21.610686
25+: ¥20.38744
100+: ¥15.902202
250+: ¥15.494454
500+: ¥13.455709
1000+: ¥11.416966

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥24.09