UF3C065080B3
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥68.852172 | ￥55081.74 |
| 1600 | ￥61.966955 | ￥99147.13 |
| 2400 | ￥59.671883 | ￥143212.52 |
| 5600 | ￥56.458782 | ￥316169.18 |
| 20000 | ￥55.081737 | ￥1101634.74 |
规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.163 g
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注
UF3C065080B3品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、UF3C065080B3
数据手册PDF。
UF3C065080B3
型号：UF3C065080B3
品牌：SiC
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥68.852172 |
| 1600+： | ￥61.966955 |
| 2400+： | ￥59.671883 |
| 5600+： | ￥56.458782 |
| 20000+： | ￥55.081737 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00