货期: 8周-10周
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥60.050275 | ¥48040.22 |
1600 | ¥54.045247 | ¥86472.40 |
2400 | ¥52.043572 | ¥124904.57 |
5600 | ¥49.241226 | ¥275750.87 |
20000 | ¥48.04022 | ¥960804.40 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.163 g
购物车
0UF3C065080B3
型号:UF3C065080B3
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
800+: | ¥60.050275 |
1600+: | ¥54.045247 |
2400+: | ¥52.043572 |
5600+: | ¥49.241226 |
20000+: | ¥48.04022 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00