货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.580108 | ¥14.58 |
10 | ¥12.998537 | ¥129.99 |
25 | ¥12.341196 | ¥308.53 |
100 | ¥9.255898 | ¥925.59 |
250 | ¥9.167182 | ¥2291.80 |
500 | ¥7.845088 | ¥3922.54 |
1000 | ¥6.390784 | ¥6390.78 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD90N03S4L-03 SP000274978
单位重量 330 mg
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0IPD90N03S4L03ATMA1
型号:IPD90N03S4L03ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.580108 |
10+: | ¥12.998537 |
25+: | ¥12.341196 |
100+: | ¥9.255898 |
250+: | ¥9.167182 |
500+: | ¥7.845088 |
1000+: | ¥6.390784 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.58