货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.583868 | ¥20.58 |
10 | ¥18.513917 | ¥185.14 |
100 | ¥14.882831 | ¥1488.28 |
500 | ¥12.227743 | ¥6113.87 |
1000 | ¥10.131542 | ¥10131.54 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17.8 A
漏源电阻 7.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 27 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7112DN-GE3
单位重量 1 g
购物车
0SI7112DN-T1-GE3
型号:SI7112DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.583868 |
10+: | ¥18.513917 |
100+: | ¥14.882831 |
500+: | ¥12.227743 |
1000+: | ¥10.131542 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.58