货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.783697 | ¥13.78 |
50 | ¥11.099124 | ¥554.96 |
100 | ¥9.13188 | ¥913.19 |
1000 | ¥6.556277 | ¥6556.28 |
5000 | ¥5.994248 | ¥29971.24 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 125 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF640PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRF640PBF
型号:IRF640PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.783697 |
50+: | ¥11.099124 |
100+: | ¥9.13188 |
1000+: | ¥6.556277 |
5000+: | ¥5.994248 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.78