货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.502617 | ¥10.50 |
10 | ¥9.19288 | ¥91.93 |
100 | ¥7.04911 | ¥704.91 |
500 | ¥5.572565 | ¥2786.28 |
1000 | ¥4.458052 | ¥4458.05 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35.6 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 29.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7772DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7772DP-T1-GE3
型号:SI7772DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.502617 |
10+: | ¥9.19288 |
100+: | ¥7.04911 |
500+: | ¥5.572565 |
1000+: | ¥4.458052 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.50