货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.200853 | ¥3602.56 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 1.09 nC
耗散功率 1.38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.5 ns
正向跨导(Min) 3.3 S
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.5 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
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0DMN3110LCP3-7
型号:DMN3110LCP3-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.200853 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00