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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥30.255929 | ¥30.26 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 13.7 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 90 ns
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK14E65W5,S1X
型号:TK14E65W5,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.255929 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.26