货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥27.818334 | ¥27.82 |
10 | ¥24.965476 | ¥249.65 |
100 | ¥20.068265 | ¥2006.83 |
500 | ¥16.487632 | ¥8243.82 |
1000 | ¥13.66129 | ¥13661.29 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 620 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6007END3TL1
型号:R6007END3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.818334 |
10+: | ¥24.965476 |
100+: | ¥20.068265 |
500+: | ¥16.487632 |
1000+: | ¥13.66129 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥27.82