货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥95.264942 | ¥95.26 |
10 | ¥86.07206 | ¥860.72 |
25 | ¥82.068709 | ¥2051.72 |
100 | ¥68.056979 | ¥6805.70 |
250 | ¥64.053626 | ¥16013.41 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.163 g
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0UF3C065080B3
型号:UF3C065080B3
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥95.264942 |
10+: | ¥86.07206 |
25+: | ¥82.068709 |
100+: | ¥68.056979 |
250+: | ¥64.053626 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥95.26