货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.061951 | ¥10.06 |
10 | ¥8.807166 | ¥88.07 |
100 | ¥6.752161 | ¥675.22 |
500 | ¥5.337332 | ¥2668.67 |
1000 | ¥4.269818 | ¥4269.82 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 9.4 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.2 ns
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.5 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMTH6016LFDFWQ-7R
型号:DMTH6016LFDFWQ-7R
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.061951 |
10+: | ¥8.807166 |
100+: | ¥6.752161 |
500+: | ¥5.337332 |
1000+: | ¥4.269818 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.06