货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥76.758026 | ¥76.76 |
10 | ¥65.755212 | ¥657.55 |
100 | ¥54.79975 | ¥5479.98 |
500 | ¥48.352074 | ¥24176.04 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 211 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 98 S
上升时间 52 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 76 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB036N12N3 G SP000675204
单位重量 1.600 g
购物车
0IPB036N12N3GATMA1
型号:IPB036N12N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥76.758026 |
10+: | ¥65.755212 |
100+: | ¥54.79975 |
500+: | ¥48.352074 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥76.76