货期:(7~10天)
起订量:13
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
13 | ¥13.092344 | ¥170.20 |
50 | ¥9.60112 | ¥480.06 |
100 | ¥8.728134 | ¥872.81 |
1000 | ¥8.728134 | ¥8728.13 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 18.4 A
漏源电阻 118 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7190DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7190DP-T1-GE3
型号:SI7190DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
13+: | ¥13.092344 |
50+: | ¥9.60112 |
100+: | ¥8.728134 |
1000+: | ¥8.728134 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00