ZHB6792TA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Quad

击穿电压(集电极-发射极) 70 V, - 70 V

集电极—基极电压 70 V, - 70 V

发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V

饱和电压 500 mV, - 500 mV

最大直流电集电极电流 1 A, - 1 A

耗散功率 2 W

增益带宽产品 100 MHz, 150 MHz

集电极连续电流 1 A

直流集电极 500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 500 mA, 2 V at NPN, 150 at 1 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 250 at 500 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP

直流电流增益（Max） 500

技术 Si

高度 1.6 mm

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors