货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥296.979455 | ¥296.98 |
10 | ¥272.927918 | ¥2729.28 |
100 | ¥230.509262 | ¥23050.93 |
500 | ¥205.053998 | ¥102527.00 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 123 nC
耗散功率 391 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPT60R028G7 SP001579312
单位重量 771.020 mg
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0IPT60R028G7XTMA1
型号:IPT60R028G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥296.979455 |
10+: | ¥272.927918 |
100+: | ¥230.509262 |
500+: | ¥205.053998 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥296.98