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制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 69 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 110 nC
耗散功率 391 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 2.4 mm
长度 10.58 mm
宽度 10.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPT65R033G7 SP001456202
单位重量 771.020 mg
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0IPT65R033G7XTMA1
型号:IPT65R033G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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