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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 17.5 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 64 nC
耗散功率 41 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 104 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 146 ns
典型接通延迟时间 9.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMP2006UFG-7
型号:DMP2006UFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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