货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥29.051662 | ¥29.05 |
10 | ¥24.126595 | ¥241.27 |
100 | ¥19.202774 | ¥1920.28 |
500 | ¥16.24898 | ¥8124.49 |
1000 | ¥13.787071 | ¥13787.07 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 936 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 15.5 nC
耗散功率 86 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6006JND3TL1
型号:R6006JND3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥29.051662 |
10+: | ¥24.126595 |
100+: | ¥19.202774 |
500+: | ¥16.24898 |
1000+: | ¥13.787071 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.05