货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.41053 | ¥13231.59 |
6000 | ¥4.178338 | ¥25070.03 |
9000 | ¥3.86879 | ¥34819.11 |
30000 | ¥3.830548 | ¥114916.44 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 13.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 22.5 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.4 ns
正向跨导(Min) 31 S
上升时间 9.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SQS840EN-T1_GE3
型号:SQS840EN-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.41053 |
6000+: | ¥4.178338 |
9000+: | ¥3.86879 |
30000+: | ¥3.830548 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00