货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥215.764903 | ¥215.76 |
10 | ¥198.267953 | ¥1982.68 |
100 | ¥167.444891 | ¥16744.49 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 66 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3.018 g
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0UJ3C065030B3
型号:UJ3C065030B3
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥215.764903 |
10+: | ¥198.267953 |
100+: | ¥167.444891 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥215.76