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UJ3C065030B3

SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
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制造商编号:
UJ3C065030B3
制造商:
SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 65A TO263
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 215.764903 215.76
10 198.267953 1982.68
100 167.444891 16744.49

规格参数

关键信息

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 66 A

漏源电阻 35 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 51 nC

耗散功率 250 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 15 ns

上升时间 19 ns

典型关闭延迟时间 58 ns

典型接通延迟时间 32 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 3.018 g

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UJ3C065030B3

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型号:UJ3C065030B3

品牌:SiC

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥215.764903
10+: ¥198.267953
100+: ¥167.444891

货期:7-10天

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