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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLL024ZTRPBF SP001552680
单位重量 112 mg
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0IRLL024ZTRPBF
型号:IRLL024ZTRPBF
品牌:INFINEON
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