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SI4378DY-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI4378DY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 11.592773 11.59
10 11.290352 112.90
30 11.10314 333.09
100 10.901527 1090.15

规格参数

属性
参数值

制造商型号

SI4378DY-T1-GE3

制造商

SILICONIX(威世)

商品描述

MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

包装

Digi-Reel® Alternate Packaging

系列

TrenchFET®

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

19A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

2.7mOhm @ 25A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

55nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

8500pF @ 10V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

1.6W (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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型号:SI4378DY-T1-GE3

品牌:SILICONIX

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