搜索

DMN10H120SE-13

DIODES(美台)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
DMN10H120SE-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.396333 7.40
10 6.356224 63.56
100 4.749833 474.98
500 3.732144 1866.07
1000 2.883877 2883.88

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 3.6 A

漏源电阻 110 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 10 nC

耗散功率 2.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 2.5 ns

上升时间 1.8 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 11 ns

典型接通延迟时间 3.8 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 112 mg

DMN10H120SE-13 相关产品

DMN10H120SE-13品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMN10H120SE-13、查询DMN10H120SE-13代理商; DMN10H120SE-13价格批发咨询客服;这里拥有 DMN10H120SE-13中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到DMN10H120SE-13 替代型号 、DMN10H120SE-13 数据手册PDF

购物车

DMN10H120SE-13

锐单logo

型号:DMN10H120SE-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.396333
10+: ¥6.356224
100+: ¥4.749833
500+: ¥3.732144
1000+: ¥2.883877

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥7.40