货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.703668 | ¥14.70 |
10 | ¥13.134454 | ¥131.34 |
25 | ¥12.474642 | ¥311.87 |
100 | ¥9.354745 | ¥935.47 |
250 | ¥9.26504 | ¥2316.26 |
500 | ¥7.928861 | ¥3964.43 |
1000 | ¥6.458863 | ¥6458.86 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 101 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 34.3 nC
耗散功率 101 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 62 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0NVD5C446NT4G
型号:NVD5C446NT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.703668 |
10+: | ¥13.134454 |
25+: | ¥12.474642 |
100+: | ¥9.354745 |
250+: | ¥9.26504 |
500+: | ¥7.928861 |
1000+: | ¥6.458863 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.70