货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.862739 | ¥24.86 |
10 | ¥20.636075 | ¥206.36 |
100 | ¥16.428055 | ¥1642.81 |
500 | ¥13.901006 | ¥6950.50 |
1000 | ¥11.794759 | ¥11794.76 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.16 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 147 S
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 70 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0SIDR638DP-T1-GE3
型号:SIDR638DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.862739 |
10+: | ¥20.636075 |
100+: | ¥16.428055 |
500+: | ¥13.901006 |
1000+: | ¥11.794759 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.86