货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥98.899585 | ¥98.90 |
10 | ¥89.371454 | ¥893.71 |
100 | ¥73.991364 | ¥7399.14 |
500 | ¥64.430669 | ¥32215.33 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 61 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB200N25N3 G SP000677896
单位重量 324 mg
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0IPB200N25N3GATMA1
型号:IPB200N25N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥98.899585 |
10+: | ¥89.371454 |
100+: | ¥73.991364 |
500+: | ¥64.430669 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥98.90