货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥25.109622 | ¥25.11 |
10 | ¥20.89568 | ¥208.96 |
100 | ¥16.63326 | ¥1663.33 |
500 | ¥14.074068 | ¥7037.03 |
1000 | ¥11.941614 | ¥11941.61 |
2000 | ¥11.344577 | ¥22689.15 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 900 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 6.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 6.3 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC010NE2LSI SP000854376
单位重量 110 mg
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0BSC010NE2LSIATMA1
型号:BSC010NE2LSIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥25.109622 |
10+: | ¥20.89568 |
100+: | ¥16.63326 |
500+: | ¥14.074068 |
1000+: | ¥11.941614 |
2000+: | ¥11.344577 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.11