货期: 8周-10周
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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4000 | ¥25.111538 | ¥100446.15 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 32.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 13.2 ns
典型关闭延迟时间 90.8 ns
典型接通延迟时间 28.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB260CI
单位重量 6 g
购物车
0TSM60NB260CI C0G
型号:TSM60NB260CI C0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥25.111538 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00