货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥44.110944 | ¥44.11 |
10 | ¥37.020796 | ¥370.21 |
100 | ¥29.953076 | ¥2995.31 |
500 | ¥26.624569 | ¥13312.28 |
1000 | ¥22.797259 | ¥22797.26 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
栅极电压 20 V
配置 Single
下降时间 41 ns
漏极电流 1.6 A
耗散功率 100 W
漏源电阻 2.3 Ohms
上升时间 70 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 25 ns
漏源击穿电压 500 V
栅源极阈值电压 - 4.5 V
产品种类 分立半导体模块
类型 Depletion Mode
安装风格 SMD/SMT
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0IXTY1R6N50D2-TRL
型号:IXTY1R6N50D2-TRL
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.110944 |
10+: | ¥37.020796 |
100+: | ¥29.953076 |
500+: | ¥26.624569 |
1000+: | ¥22.797259 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥44.11