货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.238964 | ¥12.24 |
10 | ¥11.00838 | ¥110.08 |
100 | ¥8.850176 | ¥885.02 |
500 | ¥7.271416 | ¥3635.71 |
1000 | ¥6.024915 | ¥6024.91 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 11 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 54 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 9.4 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBG20PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFBG20PBF
型号:IRFBG20PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.238964 |
10+: | ¥11.00838 |
100+: | ¥8.850176 |
500+: | ¥7.271416 |
1000+: | ¥6.024915 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.24