货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.538101 | ¥4614.30 |
6000 | ¥1.438903 | ¥8633.42 |
15000 | ¥1.339634 | ¥20094.51 |
30000 | ¥1.270189 | ¥38105.67 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.75 mm
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5419DU-GE3
单位重量 85 mg
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0SI5419DU-T1-GE3
型号:SI5419DU-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.538101 |
6000+: | ¥1.438903 |
15000+: | ¥1.339634 |
30000+: | ¥1.270189 |
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