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SI5419DU-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI5419DU-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
渠道:
digikey

库存 :17681

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.500145 7.50
10 6.43561 64.36
100 4.801303 480.13
500 3.772332 1886.17
1000 2.915137 2915.14

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 12 A

漏源电阻 33 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 45 nC

耗散功率 31 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 0.75 mm

长度 3 mm

宽度 1.8 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI5419DU-GE3

单位重量 85 mg

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SI5419DU-T1-GE3

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型号:SI5419DU-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:17681 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.500145
10+: ¥6.43561
100+: ¥4.801303
500+: ¥3.772332
1000+: ¥2.915137

货期:7-10天

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