货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥30.910453 | ¥30.91 |
10 | ¥30.077063 | ¥300.77 |
30 | ¥29.527026 | ¥885.81 |
100 | ¥28.968653 | ¥2896.87 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG17N80E-GE3
型号:SIHG17N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.910453 |
10+: | ¥30.077063 |
30+: | ¥29.527026 |
100+: | ¥28.968653 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.91