
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.811634 | ¥9.81 |
| 10 | ¥8.591809 | ¥85.92 |
| 100 | ¥6.587054 | ¥658.71 |
| 500 | ¥5.206796 | ¥2603.40 |
| 1000 | ¥4.165437 | ¥4165.44 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 17.4 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 109 ns
典型接通延迟时间 10.4 ns
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
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0CSD22202W15
型号:CSD22202W15
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.811634 |
| 10+: | ¥8.591809 |
| 100+: | ¥6.587054 |
| 500+: | ¥5.206796 |
| 1000+: | ¥4.165437 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.81