SIHB22N60AEL-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB22N60AEL-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 600V
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥55.535085 | ￥55.54 |
| 10 | ￥49.896574 | ￥498.97 |
| 25 | ￥47.176488 | ￥1179.41 |
| 100 | ￥37.74119 | ￥3774.12 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导（Min） 15 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SIHB22N60AEL-GE3 同类别型号
注
SIHB22N60AEL-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHB22N60AEL-GE3、查询SIHB22N60AEL-GE3代理商；
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替代型号
、SIHB22N60AEL-GE3
数据手册PDF。
SIHB22N60AEL-GE3
型号：SIHB22N60AEL-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥55.535085 |
| 10+： | ￥49.896574 |
| 25+： | ￥47.176488 |
| 100+： | ￥37.74119 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥55.54