货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥125.413604 | ¥125.41 |
10 | ¥113.292348 | ¥1132.92 |
100 | ¥93.790842 | ¥9379.08 |
500 | ¥87.819176 | ¥43909.59 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 155 A
漏源电阻 5.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 69 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 86 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 2.4 mm
长度 10.58 mm
宽度 10.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPT059N15N3 SP001100162
单位重量 771.020 mg
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0IPT059N15N3ATMA1
型号:IPT059N15N3ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥125.413604 |
10+: | ¥113.292348 |
100+: | ¥93.790842 |
500+: | ¥87.819176 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥125.41