TSM60NB190CM2 RNG
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- 制造商编号：
- TSM60NB190CM2 RNG
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 18A TO263
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥48.682733 | ￥48.68 |
| 10 | ￥43.666188 | ￥436.66 |
| 25 | ￥41.283947 | ￥1032.10 |
| 100 | ￥33.028886 | ￥3302.89 |
| 250 | ￥31.194017 | ￥7798.50 |
规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 150.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 95 ns
典型接通延迟时间 36 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB190CM2
单位重量 4 g
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注
TSM60NB190CM2 RNG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM60NB190CM2 RNG
数据手册PDF。
TSM60NB190CM2 RNG
型号：TSM60NB190CM2 RNG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥48.682733 |
| 10+： | ￥43.666188 |
| 25+： | ￥41.283947 |
| 100+： | ￥33.028886 |
| 250+： | ￥31.194017 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥48.68