IMZ1AT108
库存 ：20028
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.478405 | ￥4.48 |
| 10 | ￥3.445883 | ￥34.46 |
| 100 | ￥2.068775 | ￥206.88 |
| 500 | ￥1.916011 | ￥958.01 |
| 1000 | ￥1.302967 | ￥1302.97 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 60 V
发射极 - 基极电压 7 V, - 6 V
饱和电压 400 mV, - 500 mV
最大直流电集电极电流 150 mA, - 150 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 180 MHz, 140 MHz
集电极连续电流 150 mA
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 IMZ1A
单位重量 91.400 mg
IMZ1AT108 同类别型号
注
IMZ1AT108品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、IMZ1AT108
数据手册PDF。
IMZ1AT108
型号：IMZ1AT108
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：20028 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.478405 |
| 10+： | ￥3.445883 |
| 100+： | ￥2.068775 |
| 500+： | ￥1.916011 |
| 1000+： | ￥1.302967 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.48