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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.979585 | ¥2938.76 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1 mm
长度 2.15 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN66D0LW-7
型号:DMN66D0LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.979585 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00