货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.299553 | ¥5.30 |
10 | ¥5.169944 | ¥51.70 |
30 | ¥5.083538 | ¥152.51 |
100 | ¥4.982732 | ¥498.27 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 us
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 0.6 us
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 10 us
典型接通延迟时间 0.3 us
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA433EDJ-GE3
单位重量 41 mg
购物车
0SIA433EDJ-T1-GE3
型号:SIA433EDJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.299553 |
10+: | ¥5.169944 |
30+: | ¥5.083538 |
100+: | ¥4.982732 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.30