货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.879958 | ¥9.88 |
10 | ¥8.665795 | ¥86.66 |
100 | ¥6.640998 | ¥664.10 |
500 | ¥5.249472 | ¥2624.74 |
1000 | ¥4.199578 | ¥4199.58 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 11.8 nC
耗散功率 15.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR836DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR836DP-T1-GE3
型号:SIR836DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.879958 |
10+: | ¥8.665795 |
100+: | ¥6.640998 |
500+: | ¥5.249472 |
1000+: | ¥4.199578 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.88