货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥7.307963 | ¥18269.91 |
5000 | ¥6.959935 | ¥34799.67 |
12500 | ¥6.638698 | ¥82983.72 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 121 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 64 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM033NB04CR
单位重量 372.608 mg
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0TSM033NB04CR RLG
型号:TSM033NB04CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥7.307963 |
5000+: | ¥6.959935 |
12500+: | ¥6.638698 |
货期:7-10天
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