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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 59 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 160 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF3710ZPBF SP001564400
单位重量 2 g
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0IRF3710ZPBF
型号:IRF3710ZPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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