货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.694221 | ¥17.69 |
10 | ¥14.454433 | ¥144.54 |
100 | ¥11.243308 | ¥1124.33 |
500 | ¥9.529709 | ¥4764.85 |
1000 | ¥7.763029 | ¥7763.03 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 121 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 64 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM033NB04CR
单位重量 372.608 mg
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0TSM033NB04CR RLG
型号:TSM033NB04CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.694221 |
10+: | ¥14.454433 |
100+: | ¥11.243308 |
500+: | ¥9.529709 |
1000+: | ¥7.763029 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.69