
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.018129 | ¥24.02 |
| 10 | ¥15.175786 | ¥151.76 |
| 100 | ¥10.118211 | ¥1011.82 |
| 500 | ¥7.949542 | ¥3974.77 |
| 1000 | ¥7.251333 | ¥7251.33 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 10.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 41.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR426DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIR426DP-T1-GE3
型号:SIR426DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.018129 |
| 10+: | ¥15.175786 |
| 100+: | ¥10.118211 |
| 500+: | ¥7.949542 |
| 1000+: | ¥7.251333 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.02