货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.325846 | ¥12.33 |
10 | ¥11.084094 | ¥110.84 |
100 | ¥8.909445 | ¥890.94 |
500 | ¥7.319952 | ¥3659.98 |
1000 | ¥6.065158 | ¥6065.16 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 100 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 58 ns
正向跨导(Min) 170 S
上升时间 110 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF1404ZPBF SP001574476
单位重量 2 g
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0IRF1404ZPBF
型号:IRF1404ZPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.325846 |
10+: | ¥11.084094 |
100+: | ¥8.909445 |
500+: | ¥7.319952 |
1000+: | ¥6.065158 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.33