
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.95716 | ¥18.96 |
| 10 | ¥15.522066 | ¥155.22 |
| 100 | ¥12.076994 | ¥1207.70 |
| 500 | ¥10.237152 | ¥5118.58 |
| 1000 | ¥8.339298 | ¥8339.30 |
| 2000 | ¥7.850402 | ¥15700.80 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.4 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC025N03MS G SP000311505
单位重量 605 mg
购物车
0BSC025N03MSGATMA1
型号:BSC025N03MSGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.95716 |
| 10+: | ¥15.522066 |
| 100+: | ¥12.076994 |
| 500+: | ¥10.237152 |
| 1000+: | ¥8.339298 |
| 2000+: | ¥7.850402 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.96