SIJ470DP-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIJ470DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥8.304484 | ￥24913.45 |
| 6000 | ￥7.54953 | ￥45297.18 |
| 15000 | ￥7.201091 | ￥108016.37 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 ThunderFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 58.8 A
漏源电阻 7.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 56.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 60 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIJ470DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIJ470DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIJ470DP-T1-GE3、查询SIJ470DP-T1-GE3代理商；
SIJ470DP-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIJ470DP-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIJ470DP-T1-GE3
替代型号
、SIJ470DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIJ470DP-T1-GE3
型号：SIJ470DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥8.304484 |
| 6000+： | ￥7.54953 |
| 15000+： | ￥7.201091 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00