货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.288243 | ¥19.29 |
10 | ¥15.773497 | ¥157.73 |
100 | ¥12.273039 | ¥1227.30 |
500 | ¥10.402793 | ¥5201.40 |
1000 | ¥8.474255 | ¥8474.25 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.7 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 15.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.7 ns
典型接通延迟时间 9.1 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100 mg
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0CSD16413Q5A
型号:CSD16413Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.288243 |
10+: | ¥15.773497 |
100+: | ¥12.273039 |
500+: | ¥10.402793 |
1000+: | ¥8.474255 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.29